科技日報成都3月31日電 (記者盛利)記者31日從中國工程物理研究院材料研究所獲悉，國家重點研發計劃“高分辨耐輻照硅探測器的研發與產業化應用”項目日前正式啟動。該項目將打破國外壟斷，首次研發出一系列具有自主知識產權的“高分辨耐輻照硅探測器”，未來應用于國防特殊輻射測量設備、公共安檢X射線探測等諸多領域。

“射線探測技術作為現代科技關鍵核心技術，可稱為‘國之利器’，在公共安檢設備、國防建設、核能開發利用等領域有廣泛應用空間，目前我國硅輻射探測器市場上的產品絕大部分被國外壟斷，迫切需要在關鍵領域進行重點突破。”項目技術專家組組長、浙江大學材料學院硅材料國家重點實驗室主任、中科院院士楊德仁說，高分辨耐輻照硅探測器在核輻射監測、高能粒子探測、X射線衍射儀、安檢等應用廣泛，本項目將通過以表面鈍化和離子注入等關鍵技術突破為重點，獲得具有自主知識產權的高性能硅輻射探測關鍵技術，從基礎研究、工藝控制、器件研制、產品研發、產業化等各階段提升核心競爭力，帶動相關產業發展。

由四川藝精科技集團牽頭申報，中國工程物理研究院材料研究所、中國工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司參與本項目，主要任務包括研制高壓耐輻照硅探測器、面向公共安檢應用的高性能X射線探測器、大面積X射線硅探測器等。項目總體組成員、中物院材料研究所研究員趙一英介紹說，耐高壓硅探測器作為國防特殊輻射測量設備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測量的動態范圍，對中子、伽馬射線等具有良好分辨力，未來團隊將重點研究硅表面鈍化工藝，通過控制硅表面氧化膜的厚度和質量來提高器件工作性能及輻照性能。